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產(chǎn)品名稱：TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
產(chǎn)品型號：
產(chǎn)品報價：20000
產(chǎn)品特點：TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質(zhì)損耗和電容量測量。
TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的詳細資料：
| TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 |
| 用于精密測量各種高壓電氣設備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx，可鑒別電氣絕緣設備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關、避雷器等設備的介質(zhì)損耗和電容量測量。TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是國內(nèi)*高壓電纜拖地使用對反接測試數(shù)據(jù)無影響的介損測試類儀器，并*采用了第四代抗干擾技術：“全自動反干擾源”。成功解決了普通介損測試儀現(xiàn)場使用抗干擾能力差、反接法測試數(shù)據(jù)不準等問題。 |
產(chǎn)品特性 |
(1) *采用第四代抗干擾技術“全自動反干擾源”，在保證抗干擾效果的同時測試值的等效性優(yōu)于“異頻法”。 (2) 國內(nèi)*實現(xiàn)從高壓插座到高壓導線全絕緣的介損測試儀。高壓導線不僅能直接拖地使用，而且消除了反接測試時導線泄漏電流對測試結果的影響。10kV輸出時，對地無放電、無泄漏、無聲響。 |
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| 工作電源 | 電壓：AC220V±10% 頻率：50Hz±1Hz | |||||||||||||||||
| 使用環(huán)境 | 環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對濕度：≤80% | |||||||||||||||||
| 外形尺寸 | 長390mm*寬290mm*高320mm | |||||||||||||||||
| 質(zhì)量 | 20Kg | |||||||||||||||||
| 測試工作方式 | 正接法 反接法 抗干擾正接法 抗干擾反接法 | |||||||||||||||||
| 輸出功率 | 1.5KVA | |||||||||||||||||
| 電容測量范圍 | 10KV： 0～40000pF | |||||||||||||||||
| ＜5KV: 0～0.1μF | ||||||||||||||||||
| 電容z·ui小分辨率 | 0.001pF | |||||||||||||||||
| 電容精度 | 正接 ±（2%讀數(shù)+2pF） | |||||||||||||||||
| 反接 ±（2%讀數(shù)+10pF） | ||||||||||||||||||
| 介損測量范圍 | 0～50% | |||||||||||||||||
| 介損測量精度 |
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| TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 |
| 高壓測試線 | |
.jpg) | 一頭為線夾，一頭為高壓插頭，用于將高壓引至被試品,采用高性能絕緣導線制成.可拖地使用.使用前請將高壓插頭及線夾接牢靠. |
| 高壓測試線 | |
 | 一頭為紅、黑兩只線夾，一頭為航插。紅色線夾接Cx，黑色線夾接屏蔽，用于取得沒有干擾的測試信號。 |
| 電源線 | |
.JPG) | 黑色通用電源線，用于給儀器提供電源 |
| 接地線 | |
 | 黃綠相交10米接地線，一頭為金屬插針，一頭為夾子，用于儀器與地網(wǎng)連接，使儀器接地，儀器使用前，請接好地線 |
| 打印紙2卷 | |
 | 打印紙，安裝與打印機內(nèi)，是儀器打印的必須耗材，隨機符帶兩卷 |
| 保險管（10A）2只 | |
 | 保險管，安裝與儀器電源插座內(nèi)或儀器面板保險盒內(nèi)，防止因誤操作引起的大電流損壞儀器。當儀器不能正常工作時，可檢查保險管是否溶斷。 |
| 測試圖例 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 套管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 帶末屏的電容式套管，如裝于大型變壓器的電流互感器套管。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| （1）測量C1采用正接法測量接線及其等值原理圖如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| （2）測量C2采用反接法，為了消除高壓端對地的雜散電容，可將TE2000 屏蔽端接到C1上端，接線及其等值原理圖如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| （1）全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 將高壓側及低壓側分別短路，其測量接線及其原理圖如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| （2）串級式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 采用串級式電壓互感器，一般采用首端加壓法。這種試品也可以采用常規(guī)方法，但試驗電壓為2.5KV左右。接線及其等值原理圖如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電力變壓器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| （1）雙線圈變壓器接線方法如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| （2）三線圈變壓器接線方法如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 三線圈變壓器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電容器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電容式分壓互感器接線圖如下圖所示： | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 電力變壓器繞組的tgδ | ||
| 1)1～3年或自行規(guī)定 2)大修后 3)必要時 | 1)20℃時tgδ不大于下列數(shù)值： 330～500kV 0.6% 66～220kV 0.8% 35kV及以下 1.5% 2)tgδ值與歷年的數(shù)值比較不應有顯著變化(一般不大于30%) 3)試驗電壓如下： 繞組電壓10kV及以上 10kV 繞組電壓10kV以下 Un 4)用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定 | 1)非被試繞組應接地或屏蔽 2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同 3)測量溫度以頂層油溫為準，盡量使每次測量的溫度相近 4)盡量在油溫低于50℃時測量，不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算 tgδ2=tgδ1×1.3（t2-t1)/10 式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時的tgδ值 |
| 電流互感器的tgδ及電容量 | ||||||||||||||||||||
| 1)投運前 2)1～3年 3)大修后 4)必要時 | 1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應有顯著變化:
3)當電容型電流互感器末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時，應測量末屏對地tgδ，其值不大于2% | 1)主絕緣tgδ試驗電壓為10kV，末屏對地tgδ試驗電壓為2kV 2)油紙電容型tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ值與出廠值或上一次試驗值比較有明顯增長時，應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系，當tgδ隨溫度明顯變化或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應繼續(xù)運行 3)固體絕緣互感器可不進行tgδ測量 | ||||||||||||||||||
| 電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1)繞組絕緣： a)1～3年 b)大修后 c)必要時 2)66～220kV串級式電壓互感器支架： a)投運前 b)大修后 c)必要時 | 1)繞組絕緣tgδ(%)不應大于下表中數(shù)值：
| 串級式電壓互感器的tgδ試驗方法建議采用末端屏蔽法，其它試驗方法與要求自行規(guī)定 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ | ||
| 1)大修后 2)必要時 | 與初始值相比不應有顯著變化 | |
| SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ | ||
| 1)1～3年 2)大修后 3)必要時 | 1)對瓷柱式斷路器和斷口同時測量，測得的電容值和tgδ與原始值比較，應無明顯變化 2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定 3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定 | 1)大修時，對瓷柱式斷路器應測量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ，作為該設備的原始數(shù)據(jù) 2)對罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時進行試驗，試驗方法按制造廠規(guī)定 |
| 多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ | ||||||||||
| 1)1～3年 2)大修后 | 1)20℃時多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見表20 2)20℃時非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值，可比表20中相應的tgδ(%)值增加下列數(shù)值：
| 1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。測量的tgδ超過規(guī)定值或有顯著增大時，必須落下油箱進行分解試驗。對不能落下油箱的斷路器，則應將油放出，使套管下部及滅弧室露出油面，然后進行分解試驗 2)斷路器大修而套管不大修時，應按套管運行中規(guī)定的相應數(shù)值增加 3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應增加1 | ||||||||
| 多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值，并聯(lián)電容器的電容量和tgδ | ||
| 1)大修后 2)必要時 | 1)并聯(lián)電阻值應符合制造廠規(guī)定 2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定 | |
| 空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻，均壓電容器的電容量和tgδ | ||
| 1)大修后 | 1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定 2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定 | |
| 套管的主絕緣及電容型套管對地末屏tgδ與電容量 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1)1～3年 2)大修(包括主設備大修)后 3)必要時 | 1)20℃時的tgδ(%)值應不大于下表中數(shù)值：
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗值的差別超出±5%時，應查明原因 | 1)油紙電容型套管的tgδ一般不進行溫度換算，當tgδ與出廠值或上一次測試值比較有明顯增長或接近左表數(shù)值時，應綜合分析tgδ與溫度、電壓的關系。當tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時，tgδ增量超過±0.3%，不應繼續(xù)運行 2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測tgδ 3)測量變壓器套管tgδ時，與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓，其余繞組端子均接地，末屏接電橋，正接線測量 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值 | ||
| 1)投運后1年內(nèi) 2)1～5年 | 1)電容值偏差不超出額定值的-5%～+10%范圍 2)電容值不應小于出廠值的95% | 用電橋法或電流電壓法測量 |
| 耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ | ||
| 1)投運后1年內(nèi) 2)1～3年 | 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值： 油紙絕緣 0.005 膜紙復合絕緣 0.002 | 1)當tgδ值不符合要求時，可在額定電壓下復測，復測值如符合10kV下的要求，可繼續(xù)投運 2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗電壓值自定 |
| 斷路器電容器的電容值 | ||
| 1)1～3年 2)斷路器大修后 | 電容值偏差應在額定值的±5%范圍內(nèi) | 用電橋法 |
| 斷路器電容器的tgδ | ||
| 1)1～3年 2)斷路器大修后 | 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值： 油紙絕緣 0.005 膜紙復合絕緣 0.0025 | |
| 集合式電容器的電容值 | ||
| 1)投運后1年內(nèi) 2)1～5年 3)吊芯修理后 | 1)每相電容值偏差應在額定值的-5%～+10%的范圍內(nèi)，且電容值不小于出廠值 的96% 2)三相中每兩線路端子間測得的電容值的z·ui大值與z·ui小值之比不大于1.06 3)每相用三個套管引出的電容器組，應測量每兩個套管之間的電容量，其值與出廠值相差在±5%范圍內(nèi) | |
| 串聯(lián)電抗器的繞組tgδ | ||
| 1)大修后 2)必要時 | 20℃下的tgδ(%)值不大于： 35kV及以下 3.5 66kV 2.5 | 僅對800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進行 |
| 放電線圈的繞組的tgδ | |
| 1)大修后 2)必要時 | 參照電磁式電壓互感器 |
| 同步發(fā)電機、調(diào)相機定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗項目和要求 | ||||||||||||||
| 整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ) | 1)主絕緣tgδ(%)不應大于下表中的數(shù)值，且與歷年數(shù)據(jù)比較，不應有顯著變化：
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值：
| 1)在絕緣不受潮的狀態(tài)下進行試驗 2)槽外測量單根線棒tgδ時，線棒兩端應加屏蔽環(huán) 3)可在環(huán)境溫度下試驗 | ||||||||||||
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